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A tecnologia IceMOS está posicionada de forma única para continuar o desenvolvimento de transistores MOSFET de superjunção de alta tensão tolerantes à radiação para avançar a exploração espacial no Reino Unido e oferecer benefícios à cadeia de suprimentos
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A empresa está conduzindo a próxima geração de produtos comercializados para data centers eficientes, carregamento rápido de veículos elétricos e serviços de nuvem com tecnologia AI
PARADISE VALLEY, Arizona, 14 de junho de 2023 (GLOBE NEWSWIRE) — IceMOS Technology Corporation anunciou hoje que Agência Espacial Britânica Em um relacionamento com PROCESSAR, concedeu a ele um projeto para desenvolver ainda mais uma nova geração de transistores de potência para aplicações espaciais como parte do Programa de Exploração de Tecnologia Espacial (STEP). O Centro de Excelência em Fabricação da IceMOS Technology em Belfast, Irlanda do Norte, é uma das três empresas selecionadas para acelerar o desenvolvimento da cadeia de suprimentos e exploração espacial do Reino Unido.
O programa de desenvolvimento IceMOS se concentrará em fornecer um substrato de engenharia avançada que permita um MOSFET de drenagem de carboneto de silício de alta tensão e tolerante à radiação para sistemas de distribuição elétrica de alta potência mais eficientes em espaçonaves para órbita terrestre baixa (LEO) e órbita terrestre média (MEO). ) e exploração espacial. Uma nova classe de transistores de potência verticais surge reunindo uma estrutura de drenagem MOSFET de potência de banda larga (WBG) que pode ser adaptada para ser robusta em ambientes hostis de radiação cósmica. As aplicações comerciais visam atender à crescente necessidade da sociedade por economia de energia em sistemas como serviços em nuvem e data centers com IA, estações de carregamento rápido para veículos elétricos, geração de energia fotovoltaica e muito mais.
“Com este prêmio, a IceMOS Technology está em uma posição única para acelerar os avanços no programa espacial do Reino Unido por meio de melhorias drásticas em transistores tolerantes à radiação de alta tensão”, disse Samuel J. Anderson, fundador e presidente da IceMOS Technology. “É uma honra ser uma das três empresas selecionadas para participar deste programa de prestígio para aprimorar as capacidades espaciais do Reino Unido por meio do desenvolvimento desta tecnologia de ponta que pode reduzir custos e melhorar significativamente o desempenho geral do sistema”.
“Talento criativo e know-how em engenharia espacial podem ser encontrados em todo o Reino Unido. Executados em parceria com a ADS, esses projetos são exemplos brilhantes disso no crescente setor espacial da Irlanda do Norte. Eles ajudarão a aumentar o investimento, criar empregos, etc.’ ‘Desenvolvimento de novas capacidades dentro da cadeia de abastecimento espacial’, disse o Dr. Paul Bate, Diretor Executivo da Agência Espacial Britânica.
O transistor de potência tolerante à radiação IceMOS apresentará o substrato de drenagem fabricado a partir de carboneto de silício para aproveitar as vantagens de baixa resistência dos materiais WBG, que têm o potencial de revolucionar a fabricação de semicondutores para uma ampla gama de aplicações, desde eletrônica de potência até tecnologia quântica.
Sobre a tecnologia IceMOS
Fundada em 2004, Tecnologia IceMOS é o principal fornecedor de alto desempenho e baixo custo MOSFETs de superjunção, Soluções MEMS e substratos de engenharia avançada que superam as soluções concorrentes com um processo muito mais simples e barato. A empresa possui um centro de excelência em fabricação em Belfast, Irlanda do Norte, um centro de pesquisa avançada e inovação em Tempe, Arizona e um centro de design em Tóquio, Japão.
CONTACT: Media Contact: Lisa Grau Grau PR [email protected] 760-207-9090 Company Contact: Raymond Wiley IceMOS Technology [email protected] 480-221-7731
